产品与服务_江苏能华微电子科技发展有限公司

产品中心

您现在的位置 > 首页 > 产品与服务

8寸硅基外延片

6寸硅基外延片

碳化硅基外延片

蓝宝石基外延片

外延产品

规格	产品型号	样品图片
D-HEMT/650V/Si-150mm-1000μm	150 mm D-HEMT on Si
E-HEMT/650V/Si-150mm-1000μm	150 mm E-HEMT on Si
D-HEMT/200V/Si-150mm-1000μm	150 mm D-HEMT on Si
E-HEMT/200V/Si-150mm-1000μm	150 mm E-HEMT on Si
RF-HEMT/200V/Si-150mm-1000μm	150 mm rf-HEMT on Si
D-HEMT/650V/Si-200mm-975μm	200 mm D-HEMT on Si
E-HEMT/650V/Si-200mm-975μm	200 mm E-HEMT on Si
D-HEMT/200V/Si-200mm-725μm	200 mm D-HEMT on Si
E-HEMT/200V/Si-200mm-725μm	200 mm E-HEMT on Si
RF-HEMT/200V/SiC-50mm-360μm	50 mm rf-HEMT on SiC
RF-HEMT/200V/SiC-100mm-500μm	100 mm rf-HEMT on SiC
RF-HEMT/200V/SiC-150mm-500μm	150 mm rf-HEMT on SiC
D-HEMT/Sapphire-50mm-430μm	D-HEMT on sapphire
D-HEMT/Sapphire-100mm-650μm	D-HEMT on sapphire
D-HEMT/Sapphire-150mm-1000μm	D-HEMT on sapphire
E-HEMT/Sapphire-50mm-430μm	E-HEMT on sapphire
E-HEMT/Sapphire-100mm-650μm	E-HEMT on sapphire
E-HEMT/Sapphire-150mm-1000μm	E-HEMT on sapphire
SBD/650V/sapphire-50mm-430μm	SBD on sapphire
SBD/650V/sapphire-100mm-650μm	SBD on sapphire
SBD/650V/sapphire-150mm-1200μm	SBD on sapphire

DFN5*6

DFN8*8

TO220

TO220F

TO252

TO247-3L

功率器件

产品型号	耐压	导通电阻	阈值电压	类型	封装形式	封装图
CE65E300DNYI	650V	300mΩ	2.5V	增强型单管	DFN 5*6
CE65E160DNHI	650V	160mΩ	2.5V	增强型单管	DFN 8*8
CE65E160DNYI	650V	160mΩ	2.5V	增强型单管	DFN 5*6
CE65H110TOAI	650V	110mΩ	3.9V	耗尽型级联	TO220
CE65H110DNDI	650V	110mΩ	3.9V	耗尽型级联	DFN8*8
CE65H160TOAIF	650V	160mΩ	3.9V	耗尽型级联	TO220F
CE65H160DNGI	650V	160mΩ	2.3V	耗尽型级联	DFN 8*8
CE65H270TOBI	650V	270mΩ	3.9V	耗尽型级联	TO252
CE65H270TOEI	650V	270mΩ	3.9V	耗尽型级联	TO252
CE65H270DNGI	650V	270mΩ	2.3V	耗尽型级联	DFN 8*8
CE65H270TOAIF	650V	270mΩ	3.9V	耗尽型级联	TO220F
CE65H600TOEI	650V	600mΩ	3.9V	耗尽型级联	TO252
CE65H600TOAIF	650V	600mΩ	3.9V	耗尽型级联	TO220F
CE65H900TOEI	650V	900mΩ	3.9V	耗尽型级联	TO252
CE65H160DNCI	650V	160mΩ	3.9V	耗尽型级联	DFN5*6
CE65H270DNCI	650V	270mΩ	3.9V	耗尽型级联	DFN5*6
CE65H600DNCI	650V	600mΩ	3.9V	耗尽型级联	DFN5*6
CE65H900DNCI	650V	900mΩ	3.9V	耗尽型级联	DFN5*6
CE65H080TOCI	650V	80mΩ	4V	耗尽型级联	TO247-3
CE65H450TOEI	650V	450mΩ	3.9V	耗尽型级联	TO252
CE65H450DNCI	650V	450mΩ	3.9V	耗尽型级联	DFN 5*6
CE65H180TOEI	650V	180mΩ	3.9V	耗尽型级联	TO252
CE65H180TOHI	650V	180mΩ	2.3V	耗尽型级联	TO252
CE65H160DNDI	650V	160mΩ	3.9V	耗尽型级联	DFN8*8
CE65H270DNDI	650V	270mΩ	3.9V	耗尽型级联	DFN8*8

光刻

刻蚀

TSV

PECVD

代加工平台

产品类别

加工工序

01光刻（50mm-200mm）

02金属溅射（Ti、Al、TiN、Cu等）
金属蒸发（Ti、Al、Ni、Pt、Mo、Ta、Ag、Co、Cr等）

03干法刻蚀GaN、Si、SiC、SiO2、Si3N4、AL、TiN、Ni、Cr、Pt等

04湿法刻蚀及清洗

05薄膜PECVD沉积SiO2、Si3N4、ALD沉积Al2O3、AlN和Si3N4等

06离子注入N、BF2、Ar

07TSV工艺

08磨片、划片

09晶圆、器件测试

10激光开槽

11烤盘清洗

联系我们

公司地址：

江苏省张家港市福新路2号B12栋

联系电话：

+86 0512-88830088

电子邮箱：

ces@corenergy.com